0.1电子伏特碲镉汞光电探测器
出 版 物：《国外红外与激光技术》 (Infrared and Laser Engineering)
年 卷 期：1976年第1期
页 面：8-19页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：光导器件 光电二极管 热限制 最终性能 少数载流子 几何形状 载流子(半导体) 探测器 碲镉汞 固溶体 电子 轻子
摘 要：根据俄歇限制的带—带过程确定n 型材料中的载流子寿命的假设,分析了0.1电子伏特碲镉汞光电探测器的最终D~*。光导器件和光电二极管在热限制下作的定量比较表明,在70°K 以上时,光导器件能提供较良好的最终性能。然而,在较低温度下,受少数载流子扫出限制了的光导器件的D~*的极限表明,较好的性能潜力由光电二极管来提供。与获得这些最终D~*值相联系的问题,在目前的探测器设计和制造工艺的基础上加以探讨。
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