用背散射技术分析核靶的污染
The analysis of nuclear target impurity with backscattering method作者机构：中国科学院原子能研究所
出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期：1983年第2期
页 面：36-37页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：在使用真空蒸发和电镀两种方法制备核靶的过程中,基衬、脱膜剂和坩埚等都会给核靶带来污染。用合适的方法分析核靶的污染,从而改进制备工艺,是制靶技术迫切需要解决的问题。我们用背散射技术分析了核靶中的杂质,使用2MeV的~4He~+离子束,散射角为160°和135°,探测系统的能量分辨率为16keV。
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