金刚石膜同步辐射X-射线掩模的研究进展

作     者：万静 立 冉均国 WAN Jing 1,2, GOU Li 1, RAN Jun-guo 1 (1. Department of Inorganic Nonmetalic Material, Sichuan University, Chengdu 610065, Sichuan;2. Department of Chemistry, Southwest Institute for Nationalities, Chengdu 610041, Sichuan)

作者机构：四川大学无机非金属材料系 

出 版 物：《四川师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）)

年 卷 期：2001年第24卷第6期

页      面：618-621页

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (698760 2 6) 

主　　题：金刚石薄膜 X-射线光刻掩模 CVD沉积工艺 薄膜应力 薄膜粗糙度 

摘      要：超大规模集成电路 (VLSI)线宽不断缩小促进了光刻技术的发展和分辩率的提高 ,缩短光波长和改进掩模是提高分辨率的重要途径 .探索采用X 射线光刻技术时 ,用金刚石薄膜作为掩模基膜的研究现状与发展方向 .金刚石薄膜因其具有优异的机械、光学和热学性能 ,已成为新一代掩模基膜材料的理想候选材料 .介绍了金刚石薄膜用作掩模基膜材料上取得的实验成果 。