Characterization of electrical properties of AlGaN/GaN interface using coupled Schrodinger and Poisson equation

作     者：S.Das A.K.Panda G.N.Dash 

作者机构：National Institute of Science and TechnologyPalur HillsBerhampurOdisha761008India 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2012年第33卷第11期

页      面：16-23页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：MODFET 2 DEG polarization critical thickness self heating 

摘      要：The electrical characterization of AlGaN/GaN interface is *** dependence of two-dimensional electron gas（2-DEG） density at the interface on the Al mole fraction and thickness of AIGaN layer as well as on the thickness of GaN cap layer is *** information can be used to design and fabricate AlGaN/GaN based MODFET（modulation doped field effect transistor） for optimum DC and RF characteristics.