工艺偏差对干式空心电抗器局部温升的影响分析研究

作     者：王岩 谭向宇 束洪春 陈晶 郭小兵 吴彦霖 张轩 王永红 

作者机构：云南电网公司研究生工作站昆明650217 昆明理工大学昆明650500 哈尔滨理工大学电气与电子工程学院哈尔滨150080 

出 版 物：《高压电器》 (High Voltage Apparatus)

年 卷 期：2016年第52卷第10期

页      面：182-186页

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 

主　　题：干式空心电抗器 工艺偏差 包封 局部 温升 

摘      要：由于干式空心并联电抗器支路数非常多,工艺偏差会造成干式空心电抗器局部温升差异。局部温升过高会导致干式空心并联电抗器局部绝缘过早老化,降低干式空心电抗器的运行年限。因此文中针对BKDK-20000/35型干式并联空心电抗器进行模型建立,通过有限元数值计算分析,得到了不同整体半径、包封间距和匝数偏差情况下温升的变化进行研究,结果表明对于不同的工艺偏差类型,整体半径偏差引起各包封温升产生较小的变化,包封间距偏差引起各包封温升产生较大变化,匝数偏差引起各包封温升产生明显变化。为进一步控制干式空心并联电抗器生产过程工艺偏差量提供依据。