裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究
Positron annihilation study of defects in fission neutron irradiated GaAS作者机构：中国原子能科学研究院
出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期：1998年第21卷第2期
页 面：102-104页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：采用正电子湮没寿命测量方法研究了注量为６５×１０１５／ｃｍ２和１．４×１０１４／ｃｍ２、Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变快中子辐照在掺Ｓｉ、Ｎ型单晶ＧａＡｓ中产生的缺陷。此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺陷。缺陷浓度正比于辐照注量，高温退火产生王空位缺陷及小空位团。单空位、双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０．４５０．
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