裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究
Positron annihilation study of defects in fission neutron irradiated GaAS作者机构:中国原子能科学研究院
出 版 物:《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期:1998年第21卷第2期
页 面:102-104页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
摘 要:采用正电子湮没寿命测量方法研究了注量为65×1015/cm2和1.4×1014/cm2、En≥1MeV的裂变快中子辐照在掺Si、N型单晶GaAs中产生的缺陷。此辐照在GaAs中产生单空位和双空位缺陷。缺陷浓度正比于辐照注量,高温退火产生王空位缺陷及小空位团。单空位、双空位和三空位缺陷的退火温度分别为250.450.