全息光栅掩模制备中的光刻胶薄膜特性控制研究

作     者：陈南曙 黄元申 张大伟 CHEN Nan-shu;HUANG Yuan-shen;ZHANG Da-wei

作者机构：上海理工大学光学与电子信息学院上海200093 

出 版 物：《激光杂志》 (Laser Journal)

年 卷 期：2008年第29卷第6期

页      面：55-56页

核心收录：

学科分类：07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：上海市科委课题上海市重点实验室登山计划"亚波长光栅防伪技术原理及关键技术研究"(编号06DZ22016) 上海市科委课题(编号07DZ22026)"纳米尺度亚光波长结构材料成像与衍射特性研究平台建设" 上海市教委课题(编号06EZ011)"全息离子束刻蚀技术研究"项目资助 

主　　题：薄膜 应力 均匀性 Stoney公式 

摘      要：本文对全息光栅掩模制备中光刻胶薄膜的应力与厚度均匀性问题进行了研究。应用干涉法及Stoney公式计算的分析结果,对SiO2基底上光刻胶薄膜的应力进行了研究。对膜厚的均匀性采用干涉显微镜在同一样品,不同直径上多点测量的方法,初步得出光刻胶薄膜膜厚均匀性的分布规律。分组变换加速度,转速,匀胶时间等参数,并对结果进行比较,发现在匀胶转速相同的前提下,光刻胶薄膜应力值随加速度的降低面减小,光刻胶薄膜的均匀性随加速度的增加而变好。在3000rpm至4000rpm的低转速时,光刻胶薄膜样品的膜厚均匀性好。出此,在全息光栅匀胶工艺中,要选择适当的转速的加速度,以得到应力较小和均匀性较好的光刻胶薄膜。与此同时,薄膜膜厚均匀性呈现出中间薄,边缘较厚的规律。