电化学刻蚀半导体的结构分析

作     者：申慧娟 Shen Huijuan

作者机构：仰恩大学信息与计算机学院电子工程系福建泉州362014 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2008年第45卷第2期

页      面：97-99,113页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：电化学刻蚀 多孔硅 电流控制模型 晶格极化 形貌 

摘      要：结合多孔硅(Si)、多孔砷化镓(GaAs)以及多孔磷化铟(InP)的不同孔形貌,综合分析了元素半导体硅及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs、InP的刻蚀结构,系统地阐述了晶体结构在电化学刻蚀中的作用。化合物半导体由于存在晶格极化和各向异性,使得不同晶面的溶解速率或钝化速率不同,导致孔沿着溶解速率较大的方向生长,钝化速率较大的晶面成为孔壁,在一定程度上影响了孔的形状、大小及周期性排列等特征。用电流控制模型对不同孔的生长过程进行了较好的解释,进一步证明了晶体的结构特征对其产生的重要影响。