Bi（2223）厚膜的超导电性及其磁通蠕动
Resistive Transition And Flux Creep of Bi (2223) Thick Film作者机构：中科院等离子体物理研究所
出 版 物：《低温与超导》 (Cryogenics and Superconductivity)
年 卷 期：1994年第22卷第1期
页 面：14-21页
核心收录：
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：该文报导了Ｂｉ１．８Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ２ＯＹ厚膜在低磁场下的电阻转变特性。实验结果表明，在几十高斯的磁场和低测量电流密度下，电阻温度（Ｐ－Ｔ）曲线明显存在一个拐点将曲线分成转变规律不同的两部分。厚膜的零电阻温度Ｔｃ０明显地随测量电流密度Ｊ和磁场Ｈ的增大而降低。在零场下，临界电流密度Ｊｃ和Ｔ满足Ｊｃ∞（１－Ｔ／Ｔｓ）１．９８关系。在（Ｈ，Ｔ）相图上，磁场Ｈ和温度Ｔ满足Ｈ∞（１－Ｔ／Ｔｓ）ｎ关系，但指数因子ｎ的大小随磁场方向与ｃ－轴的夹角的变化以及不同的ｍ＝Ｒ／Ｒｓ值而变化。样品的钉扎能Ｕ随磁场Ｈ－α降低。
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