外腔半导体激光器的单纵模机制

作     者：廖江红 A.Mohebati T.A.King LIAO Jianghong(State Key Laboratory of Applied Optics, Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics,Academia Sinica, Changchun 130022)A. Mohebati, T. A. King (Department of Physics, University of Manchester, Manchester M13 9PL, U. K. )

作者机构：中国科学院长春光机所应用光学国家重点实验室长春130022 英国曼彻斯特大学物理系 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：1993年第20卷第9期

页      面：641-645页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

主　　题：半导体激光器 非线性光学 外腔 

摘      要：本文建立了一种外腔半导体激光器单纵模机制的模相互作用模型。由于引入四波混频耦合项,模相互作用的效应对次级模的影响是对称的,均使次级模受到增益抑制。