金属硬掩膜打开工艺中的CD偏差负载控制

作     者：D.J.Wang M.D.Hu J.Q.Zhou C.L.Zhang H.Y.Zhang X.P.Wang 

作者机构：Semiconductor Manufacturing International Corporation 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2013年第19卷第6期

页      面：308-311,307页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：化学刻蚀 负载控制 沟槽 偏差比较 聚合物 隔离 负载效应 线条 刻蚀工艺 掩膜 

摘      要：本文系统地研究了密集线条和孤立线条间CD(关键尺寸)刻蚀偏差参数对金属硬掩膜(MHM)刻蚀工艺的影响,涉及的范围有化学气体、源功率、压力、偏差功率以及ESC温度。特别是,如果正确地应用基于CH4的等离子固化光刻胶掩膜,发现它具有控制密集和ISO CD负载的特殊能力,且同时保持准确的密集CD。而且,在基于Cl2和基于HBr的BARC打开步骤之间,还看到刻蚀化学气体对CD负载的有重大影响。此外,也发现M-HM的应力和刻蚀后剖面影响CD负载性能。根据这些发现,成功地展示了改善钨触点和铜沟槽之间电气互连的解决方法。