一种有效提升石墨烯晶体管迁移率的加工方法（英文）

作     者：冯志宏 王超 孙崇玲 张代化 陈雪娇 无

作者机构：天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072 

出 版 物：《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期：2016年第14卷第5期

页      面：356-359页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：石墨烯 PMMA 载流子迁移率 场效应晶体管 

摘      要：传统光刻工艺加工石墨烯沟道的方法中,石墨烯表面的光刻胶残留严重影响其电学特性,导致载流子迁移率大大降低.为了解决光刻胶残留的问题,采用聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(poly(methyl methacrylate),PMMA)作为缓冲层,将石墨烯与光刻胶隔离,可以有效保护石墨烯表面,使石墨烯保持干净的表面.电学测量结果表明,与传统光刻方法相比该方法制备出的石墨烯场效应管的迁移率提升了5倍.此外,通过采用聚合物辅助的转移方法,可实现大面积石墨烯的转移.拉曼光谱数据表明,这种转移方法对石墨烯造成的沾污和破损非常微弱.该加工工艺不仅与CMOS工艺兼容,而且适用于各种基于石墨烯的微电子器件.