Lu2SiO5：Ce^3＋透明薄膜制备及其发光性能研究

作     者：吴霜 刘波 陈士伟 张娟楠 刘小林 顾牡 黄世明 倪晨 薛超凡 

作者机构：同济大学上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室物理科学与工程学院上海200092 中国科学院上海应用物理研究所上海201204 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2016年第31卷第9期

页      面：948-954页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(11574230 11374229)~~ 

主　　题：Lu2SiO5:Ce^3+薄膜 水硅比 烧结程序 胶黏剂 固含量 发光性能 

摘      要：Lu_2SiO_5:Ce^(3+)薄膜具有高光产额、快衰减时间、高密度、高空间分辨率等优点,有望成为X射线探测中的闪烁材料,但制备高质量的薄膜面临挑战。本工作采用溶胶凝–胶法,通过对制备过程中水硅比、烧结程序、胶黏剂和固含量等四个因素的系统研究与分析,结果表明:在空气湿度为85%,溶胶水硅比为6.6条件下,适量添加PEG400,采用优化后最佳固含量,从450℃开始进行烧结程序后退火,可制备出具有透明、平整、无裂痕的高质量Lu_2SiO_5:Ce^(3+)闪烁薄膜,单次旋涂获得的膜厚达到167 nm。实验表明水含量是引起薄膜发白的主要因素;烧结程序决定了薄膜的有机物分解程度及结晶状况;溶胶固含量及胶黏剂含量是调控薄膜厚度的重要方法。本工作为Lu_2SiO_5:Ce^(3+)闪烁薄膜的实际应用奠定了基础。