锗在吸收边附近的压力—折射率系数

作     者：史文俊 易迎彦 黎敏 Shi Wen-Jun;Yi Ying-Yan;Li Min

作者机构：武汉理工大学物理系武汉430070 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2016年第65卷第16期

页      面：217-222页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0704[理学-天文学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61177076) 中央高校基本科研业务费(批准号:WUT2016IA009)资助的课题~~ 

主　　题：半导体 锗 折射率 压力 

摘      要：目前半导体锗在吸收边附近(1550 nm)的压力-折射率系数在实验和理论上并未研究清楚.本文通过测量在不同压力下镀在光纤端面的高结晶度锗薄膜的反射率,来计算得到锗在吸收边附近的压力-折射率系数.本文的实验结果显示,锗在吸收边附近出现反常色散现象,即折射率随能量变化呈正相关,并且其压力-折射率系数出现反常,为正值,这是由于多晶结构中的激子吸收所引起.通过引入描述激子色散的临界点模型,得到锗在吸收边附近的反常色散范围和压力-折射率系数呈正值的范围.本文的结果将有助于基于锗薄膜的通信C波段光学器件的研究.