退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响

作     者：许玲 吴崎 董承远 XU Ling;WU Qi;DONG Cheng-yuan

作者机构：上海交通大学电子工程系上海200240 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2016年第37卷第4期

页      面：457-462页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(61474075) 国家自然科学基金重点项目(61136004)资助 

主　　题：非晶铟钨氧 薄膜晶体管 退火温度 氧空位 表面粗糙度 

摘      要：非晶铟钨氧(a-IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外,a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200℃下退火达到最佳,我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。