掺金单晶硅特性的研究
A STUDY ON PROPERTIES OF Au-DOPED SILICON作者机构：厦门大学物理系厦门361005
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：1992年第41卷第3期
页 面：491-499页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：本文研究单晶硅掺金前后的表面光伏和红外吸收谱,证实在相同表面状况下,红外吸收谱的基线与少子扩散长度的对应关系;由半导体统计,推导出简并因子不等于1时扩金硅的统计公式,以及金受主简并因子gAu,≠1,金施主简并因子gAu,d≠1硅双重能级复合理论公式,由此计算的少子寿命值与测量值之比在1.64—0.745之间。
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