不同整比性VO_2纳米粉体的合成

作     者：何山 林晨 雷德铭 郑臣谋 

作者机构：中山大学物理系广州510275 中山大学化学系广州510275 

出 版 物：《高等学校化学学报》 (Chemical Journal of Chinese Universities)

年 卷 期：2003年第24卷第5期

页      面：761-764页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:59972045) 广州市科技局基金(批准号:2002J1-C0371) 

主　　题：二氧化钒 纳米粉体 整比性 合成 半导体 

摘      要：以V_2O_5,HCl,N_2H_4·2HCl和NH_4HCO_3为原料合成了紫红色多晶(NH_4)_5[(VO)_6(CO_3)_4(OH)_9]·10H_2O(I),产率80％～95％.在N_2气流中对前体I进行了TG/DTG和DTA热分析.研究了前体I在N_2-空气气流中热解时氧分压(po_2)和反应温度对产物VO_2整比性的影响。结果表明,在500℃条件下,VO_x中的x值与po_2呈正比关系,在po_2=30.3 Pa条件下,在450～520℃区间,产物为缺氧VO_2;在t520℃时,产物为富氧VO_2.在合适的条件下,成功地合成了从VO_(1.927)到VO_(2.080)之间不同整比性的VO_2粉体.产物组成均匀,其XRD谱未观察到非VO_2的杂质峰.VO_2粉体颗粒的平均粒径为20nm,粒度分布均匀并呈球形。