GaAlAs/GaAs量子阱结构的实验研究
Experimental Study of GaAlAs/GaAs Quantum Well Structure作者机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)
年 卷 期：1997年第17卷第2期
页 面：146-149页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
摘 要：利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶Ｘ射线衍射和电化学电容－电压分布测量。实验结果表明，样品质量达到了设计要求。
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