Si／Si_（1－x）Ge_x应变层超晶格折叠声子能隙的精细测量
High Resolution Measurement of Phonon Energy Gaps in St/Si_(1-x)Ge_x Strained Layer Superlattices.作者机构：中国科学院物理研究所
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1994年第15卷第6期
页 面：373-382页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：应变层超晶格 声子 Si/Si1-xGex
摘 要：采用高分辨喇曼光谱仪测量了Ｓｉ／Ｓｉ_（１－ｘ）Ｇｅ_ｘ应变层超晶格中折叠纵向声学支（ＦＬＡ）声子的非弹性散射谱．通过改变激光波长得到了拆叠布里渊区边界附近ＦＬＡ声子的色散曲线，并第一次获得了四级ＦＬＡ声子带隙．将ＲＲｙｔｏｖ理论和精确测量结果进行了比较，讨论了Ｒｙｔｏｖ理论的应用范围及限制，发现在拆叠布里渊区边界上Ｋｙｔｏｖ理论与实验有明显分歧．高分辨喇曼谱还揭示出ＦＬＡ声子峰的精细结构和系列卫星线，讨论了产生这些精细结构的机制以及用于材料标识的可能性．
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