CuTa_2O_6掺杂Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3基微波陶瓷烧结动力学及微波性能
Sintering kinetics and microwave properties of CuTa_2O_6 doped Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3 ceramics作者机构:中南大学粉末冶金研究院长沙410083
出 版 物:《粉末冶金材料科学与工程》 (Materials Science and Engineering of Powder Metallurgy)
年 卷 期:2016年第21卷第3期
页 面:353-360页
学科分类:080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:国家自然科学基金资助项目(51302150 51172053) 深圳市基础研究计划项目(JCY201110100) 粉末冶金国家重点实验室开放基金
主 题:微波陶瓷 非等温烧结 烧结动力学 CuTa2O6 掺杂 Ba(Zn1/3Ta2/3)O3
摘 要:结合烧结动力学模型和微观形貌观察,研究未掺杂和掺杂CuTa2O6的Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷在1 270~1 520℃温度范围内的致密化过程和烧结动力学机理。结果表明:在1 150℃以上烧结,随温度升高,Ba(Zn1/3Ta2/3)O3的烧结机制从体积扩散向晶界扩散转变。掺杂0.25%CuTa2O6可显著加快Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷的烧结致密化过程,在显著降低烧结温度的同时,可大幅缩短烧结时间并有效地促进B位的有序化。掺杂Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷在1370℃烧结12h即可获得〉96%的相对密度,在1 370℃烧结12 h后的介电常数(εr)和品质因数(Q·f)分别约为29.4和985 35;相比较,未掺杂Ba(Zn1/3Ta2/3)O3在1 520℃烧结12 h的εr和Q·f分别只有27.4和68 147。掺杂Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷经1 520℃烧结48 h的εr和Q·f分别约为28.2和103 131。