不锈钢载波钝化膜的半导体性质
Semiconducting Properties of Passive Film Formed on Stainless Steel by Using A. V. Passivation作者机构：上海电力学院电化学研究室 浙江大学化学系杭州310027 中国科学院金属研究所
出 版 物：《化学学报》 (Acta Chimica Sinica)
年 卷 期：2002年第60卷第1期
页 面：30-36页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家重点研究发展规划基金(No.G19990650)资助项目
主 题：载波钝化 钝化膜 半导体性质 不锈钢 交流阻抗法 光电化学法 组成 结构
摘 要：运用交流阻抗法和光电化学法研究了不锈钢载波钝化膜层的半导体性质.讨论了交流阻抗测试中扰动频率的变化对Mott-Schottky曲线的影响,讨论了不锈钢载波钝化膜的n/p型、杂质施主密度和平带电位等半导体性质,同时结合光电化学法对交流阻抗测试结果进行了验证分析,实验结果认为不锈钢载波钝化膜层具有与直流钝化膜层相似的半导体性质,并通过膜层的组成结构对其半导体性质作了分析.
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