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IGBT驱动关键技术研究

Research on key technology of IGBT driver

作     者:王博 郝湘路 马仲智 

作者机构:西安铁路职业技术学院陕西西安710014 

出 版 物:《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期:2016年第23卷第8期

页      面:68-70,76页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:绝缘栅双极型晶体管 电压应力 有源钳位 软关断 

摘      要:为解决中、大功率等级IGBT的可靠驱动问题,本文提出了驱动电路的关键参数设计方案。同时,在变流器极端工况下研究了IGBT的相关特性,提出了极端工况IGBT的保护措施,包括IGBT栅极电压应力防护、VCE电压应力抑制、过流与短路等工况的保护措施及工作原理。对电压应力抑制的关键方案:有源钳位、高级有源钳位、软关断等特性进行理论分析,并给出解决实际问题的应用电路。通过双脉冲试验验证了文中提出的相关理论的科学性以及给出的解决方案的可行性。

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