4H型碳化硅高温氧化工艺研究

作     者：钮应喜 黄润华 杨霏 汪玲 陈刚 陶永洪 刘奥 柏松 李赟 赵志飞 NIU Yingxi;HUANG Runhua;YANG Fei;WANG Ling;CHEN Gang;TAO Yonghong;LIU Ao;BAI Song;LI Yun;ZHAO Zhifei

作者机构：全球能源互联网研究院北京市昌平区102209 南京电子器件研究所江苏省南京市210016 

出 版 物：《智能电网》 (Smart Grid)

年 卷 期：2016年第4卷第6期

页      面：546-549页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~ 

主　　题：4H型碳化硅 界面态 碳化硅MOS电容 可靠性 

摘      要：在4H型碳化硅导电衬底上进行N型外延层生长,并对外延层表面进行化学机械抛光;通过高温氧化的方法在表面生成氧化层,并且在NO中进行退火;在此之后,加工碳化硅MOS电容和LMOS;通过C-V测试的方法对Si O2/Si C界面特性进行评估;通过测试的方法对LMOS的场效应迁移率和MOS的击穿电压分布情况进行分析。结果表明,经过表面抛光可大大改善表面形貌,在一定程度上抑制界面态的产生,并且改善沟道导电的一致性。