铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜
Preparation of Polycrystalline Silicon Films by Aluminium Induced Crystallization at Low Temperatures作者机构：华中科技大学电子科学与技术系 华中科技大学物理系武汉430074
出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)
年 卷 期：2001年第16卷第4期
页 面：688-692页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：金属诱导晶化 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 金属铝 晶化机理
摘 要：为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器，低温（６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜，并光刻形成铝膜图形，而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法，研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程，结果表明；在５６０℃退火６ｈ后；铝膜下的非晶硅已完全晶化，确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．
维普期刊数据库
同方期刊数据库