SnS薄膜的两步法制备及其光电性能研究
Research on the Optoelectronic Properties of SnS Thin Films Prepared by Two-Stage Process作者机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏南京210016
出 版 物：《影像科学与光化学》 (Imaging Science and Photochemistry)
年 卷 期：2013年第31卷第2期
页 面：150-156页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(61176062) 2011年大学生创新训练计划项目(国家级201210287048) 江苏高校优势学科建设工程资助项目
摘 要：用两步法制备了SnS薄膜,首先在玻璃衬底上用磁控溅射法沉积一层Sn薄膜,然后在220℃下加热炉中硫化60min.对该薄膜进行结构、表面形貌和光电性能分析,结果表明:制备的SnS薄膜为p型导电,有明显的(040)方向择优取向;薄膜表面致密,S和Sn原子非常接近化学计量比;薄膜呈现高于5×104 cm-1的吸收系数和持续光电导效应,其直接带隙约为1.23eV,适合作为太阳能电池的吸收层材料和用于制作光敏器件.
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