对拥有结终端保护的高压4H-SiC PIN二极管的研究
Study on High Voltage 4H-SiC PIN Diode with Junction Termination Protections作者机构：中南林业科技大学计算机与信息工程学院长沙410004
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2012年第32卷第3期
页 面：225-229页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金：湖南省科技厅科技项目(2008FJ3102) 校2010年引入人才科研项目(104-0197)
摘 要：在对4H-SiC高压PIN二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的高压4H-SiC PIN二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了高压4H-SiC PIN二极管。实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测此器件击穿电压值已达到1 650V。
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