基于CCD工艺的模型参数提取测试图形设计
Design of Testchip for Model Parameter Extraction Based on CCD Process作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2011年第32卷第4期
页 面：492-494,572页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：介绍了一套基于CCD工艺的模型参数提取用测试图形(Testchip)设计方法。该Testchip的设计充分考虑了CCD工艺特征、中测测试条件、CCD放大器特性等各种关键因素,并在对应的工艺线进行流片,得到了完整的测试数据。
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