雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_xN_y膜陷阱的影响
Effects of Avalanche Hot-Electron Injection on Trapping of Rapid Thermal Nitrided SiO_xN_y Film作者机构：华南理工大学物理系广州510641
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1991年第12卷第7期
页 面：405-411页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文研究了雪崩热电子注入对快速热氮化的SiO_zN_y膜体内电子陷阱和界面陷阱的影响.结果表明:快速热氮化的SiO_xN_y膜存在着不同类型的陷阱,其陷阱密度悬殊很大.雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱.同时还给出这两种陷阱在禁带中的能级位置,界面态密度随雪崩注入的变化关系.文中并对实验结果进行讨论与分析.
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