InP外延材料的MBE生长模式

作     者：皮彪 舒永春 林耀望 徐波 姚江宏 邢晓东 曲胜春 王占国 Pi Biao;Shu Yongchun;Lin Yaowang;Xu Bo;Yao Jianghong;Xing Xiaodong;Qu Shengchun;Wang Zhanguo

作者机构：南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室天津300457 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第Z1期

页      面：28-32页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：天津市应用基础研究基金(批准号:06YFJZJC01100)及国家自然科学基金(批准号:60476042)资助项目Project supported by the Applied Basic Study Foundation of Tianjin (No.06YFJZJC01100) and the National Natural Science Foundation of China (No.60476042) 

主　　题：固态源分子束外延 InP 生长模式 

摘      要：采用固态磷源分子束外延技术,在不同的生长条件下生长了InP外延材料,并用原子力显微镜对样品表面形貌进行了系统研究.实验结果表明,样品表面形貌的显著变化与生长模式发生变化有关;二维(2D)生长模式和三维(3D)生长模式之间存在转换的临界工艺条件.通过对实验数据的分析,绘制了InP外延生长模式对应工艺条件的区域分布图;在2D生长区域获得了高质量的InP/InP外延材料.