检索结果-南通市图书馆

高科技与产业化 2019年第5期25卷 12-15页

作者：贺春禄王占国不详中国科学院半导体所

2017年,中国GaN和SiC器件市场规模已达30.8亿元。作为第三代半导体材料中的代表,近年来GaN和SiC在5G通信技术、新能源汽车以及光电应用等推动之下,始终保持着市场的快速增长。

关键词：第三代半导体材料中国市场规模新能源汽车 iC器件 5G通信光电应用 GaN

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王占国：建立国家级公共研发平台需体制创新

新材料产业 2005年第12期 7-7页

作者：王占国中国科学院

半导体照明是近十来年发展起来的一个新兴产业,由于其重要的经济和社会意义,已成为国际上新一轮高技术竞争的一个焦点.世界市场的争夺战已经在全球打响.目前国内企业刚刚起步,与国外的技术差距还比较大,高层次的研发人才薄弱,力量比较分... 详细信息

半导体照明是近十来年发展起来的一个新兴产业,由于其重要的经济和社会意义,已成为国际上新一轮高技术竞争的一个焦点.世界市场的争夺战已经在全球打响.目前国内企业刚刚起步,与国外的技术差距还比较大,高层次的研发人才薄弱,力量比较分散,加之资金投入的不足,靠单个企业进行技术工艺提升和高端产品的技术突破难度很大.

关键词：研发中心体制创新平台公共国家级半导体照明国际竞争力新兴产业国内企业社会意义

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自组装半导体量子点的电子学性质研究进展

金属学报 2005年第5期41卷 463-470页

作者：孙捷金鹏王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中... 详细信息

自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值.本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析.

关键词：自组装半导体量子点量子尺寸效应纳米电子器件

GaAs超高速电压比较器及利用低温MBE　GaAs缓冲层的改进设计

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固体电子学研究与进展 1994年第1期14卷 28-31页

作者：李瑞钢綦素琴王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室河北半导体研究所砷化镓超高速集成电路研究室

简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利... 详细信息

简要介绍了ＧａＡｓ超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有１．０ＧＨｚ时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺技术，其电压分辨率高达１１．３ｍＶ，功耗仅为２７４ｍｗ。最后给出了利用低温分子束外延生长ＧａＡｓ作缓冲层的进一步改进设计。

关键词：比较器分子束外延砷化镓

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信息功能材料的研究现状和发展趋势

化工进展 2004年第2期23卷 117-126页

作者：王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

介绍了国内外信息功能材料目前的研发水平、器件应用概况和发展趋势 ,主要介绍了半导体材料 ,也涉及到信息存储材料、有机光电子材料和人工晶体材料等。

关键词：信息功能材料半导体硅材料硅基异质结构材料固态量子构筑信息存储材料有机光电子材料人工晶体材料

赝配GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As量子阱导带不连续量的C-V和电容瞬态测量

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物理学报 1998年第8期47卷 1339-1345页

作者：卢励吾张砚华杨国文王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放研究实验室国家光电子工程中心中国科学院半导体研究所香港科技大学物理系

分别采用二种不同方法测量分子束外延（ＭＢＥ）生长ＧａＡｓ／Ｉｎ０２Ｇａ０８Ａｓ单量子阱结构的导带不连续量ΔＥｃ：１）考虑样品界面电荷修正的电容电压（ＣＶ）分布；２）量子阱载流子热发射产生的电容瞬态（ＤＬＴＳ）... 详细信息

分别采用二种不同方法测量分子束外延（ＭＢＥ）生长ＧａＡｓ／Ｉｎ０２Ｇａ０８Ａｓ单量子阱结构的导带不连续量ΔＥｃ：１）考虑样品界面电荷修正的电容电压（ＣＶ）分布；２）量子阱载流子热发射产生的电容瞬态（ＤＬＴＳ）．ＣＶ测得的ΔＥｃ＝０２２７ｅＶ，大约相当于８９％ΔＥｇ．ＤＬＴＳ测得的ΔＥｃ＝０２２９ｅＶ，大约相当于８９９％ΔＥｇ．结果表明，ＣＶ和ＤＬＴＳ获得的导带不连续量ΔＥｃ比较一致．

关键词：砷化镓铟镓砷量子阱导带 C-V 电容

有效折射率微扰法研究单缺陷光子晶体平板微腔的性质

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物理学报 2012年第5期61卷 152-159页

作者：周文飞叶小玲徐波张世王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083 清华大学物理系北京100084

应用有效折射率微扰法结合二维/三维平面波方法研究了施主和受主缺陷型H1微腔的性质,使用修正后的有效折射率可以准确地计算微腔的腔模频率,与三维全矢量时域有限差分法的计算结果很相近.对于施主型H1微腔,以介质带边为匹配标准修正的... 详细信息

应用有效折射率微扰法结合二维/三维平面波方法研究了施主和受主缺陷型H1微腔的性质,使用修正后的有效折射率可以准确地计算微腔的腔模频率,与三维全矢量时域有限差分法的计算结果很相近.对于施主型H1微腔,以介质带边为匹配标准修正的有效折射率计算的微腔腔模频率误差最小,而对于受主型H1微腔,匹配标准则应设置为中间带.有效折射率微扰法既可以将计算的维度从三维降到二维,大大减少计算所需的计算机内存和时间,又可以保持计算结果的准确性,这对于光子晶体微腔的广泛应用具有非常重要的价值.

关键词：光子晶体平板 H1微腔有效折射率腔模频率

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半导体纳米结构的可控生长

人工晶体学报 2002年第3期31卷 208-217页

作者：王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点 (线 )的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长 ,这对进一... 详细信息

应用MBE技术和SK生长模式 ,通过对研究材料体系的应力分布设计 ,生长动力学研究和生长工艺优化 ,实现了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP无缺陷量子点 (线 )的尺寸、形状、密度和分布有序性的可控生长 ,这对进一步的器件应用特别重要。讨论了半导体纳米结构的空间有序性分布物理起因和退火的机制。

关键词：半导体纳米材料可控生长量子点量子线

用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析

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稀有金属材料与工程 2005年第12期34卷 1849-1853页

作者：孟焘朱贤方王占国厦门大学福建厦门361005 中科院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京100083

GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见。鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点... 详细信息

GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见。鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。

关键词： GaN基量子点自组装 S-K模式 MOCVD

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论边疆农业经济

学术交流 1997年第6期 39-41页

作者：王占国黑龙江省社会科学院

论边疆农业经济王占国一改革开放以来，黑龙江省边境地区各县市由于农村全面实行家庭联产承包，使广大农民有了生产资料占有权和生产经营自主权，调动了他们的主人翁责任感和生产积极性。农业生产关系史上的这一重大变革，推动了农业和... 详细信息

论边疆农业经济王占国一改革开放以来，黑龙江省边境地区各县市由于农村全面实行家庭联产承包，使广大农民有了生产资料占有权和生产经营自主权，调动了他们的主人翁责任感和生产积极性。农业生产关系史上的这一重大变革，推动了农业和农村经济的发展。在“八五”期间黑龙...

关键词：农业经济地方农业黑龙江