结构和工艺对碲镉汞光导探测器响应率的影响
The Effect of HgCdTe PC Detector Construction and Technology on Responsivity作者机构：华北光电所
出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)
年 卷 期：1991年第21卷第3期
页 面：27-30页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：分析了探测器表面复合和扫出效应对光激发非平衡栽流子寿命和响应率的影响。并进行了实例数字计算,提出了表面和扫出的影响是目前8～14μm碲镉汞光导探测器在工艺和结构上必须予以重视的问题。
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