半导体激光器的热场分析及热特性表征
Thermal Analysis and Characterization of Semiconductor Lasers作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050
出 版 物：《稀有金属》 (Chinese Journal of Rare Metals)
年 卷 期：2004年第28卷第3期
页 面：551-553页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家"973" ( 2 0 0 0 0 683 0 2 0 3 ) 国家"863" ( 2 0 0 1AA3 1115 0 2 0 0 2AA3 13 0 40 ) 国家自然科学基金重点项目 ( 60 13 60 10 )资助
摘 要：基于有限元方法和实际器件的材料和结构参数 ,对 1.3 μmInAsP/InGaAsP脊波导多量子阱激光器和 8μmInAlAs/InGaAs/InP量子级联激光器等半导体激光器在CW以及各种脉冲驱动条件下的热场分布进行了模拟计算和分析 ,并对研制的实际器件采用变脉冲方法对其热特性进行了测量表征 ,实测与模拟所得结果相当吻合。
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