硅外延S坑缺陷的研究
StudyofSpitDefectinSiliconEpitaxialWafers作者机构：上海市计量测试技术研究院 上海微电子分析测试重点实验室 复旦大学材料科学研究所 上海硅材料厂
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1999年第19卷第2期
页 面：221-225页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的Ｓ坑缺陷。在Ｓ坑缺陷中观察到一种线度比通常Ｓ坑更大的浅底坑缺陷。研究表明Ｓ坑缺陷分布在３～４μｍ深的外延表面层中，其结构为位错缠结及带有杂质沉淀的缺陷团。Ｓ坑缺陷起因于金属杂质的沾污。
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