阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真
Design of Nonvolatile Resisitive Random Access Memory Cell Circuits and Spice Simulation作者机构：安徽大学电子科学与技术学院安徽合肥230039
出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)
年 卷 期：2009年第32卷第2期
页 面：1-3页
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(60576066) 国家自然科学基金主任资助项目(60644007)
主 题：非易失性存储器 电阻转变特性 存储单元结构 1T1R
摘 要：为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。
维普期刊数据库
同方期刊数据库