单层SnS2-xSex合金的电子结构和光学性质
作者机构：辽宁工程技术大学材料科学与工程学院 辽宁工程技术大学理学院
出 版 物：《兵器材料科学与工程》 (Ordnance Material Science and Engineering)
年 卷 期：2025年
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学基金项目(51874167,21808095) 辽宁省教育厅科学研究基金(LJ2020JCL033)
摘 要：基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，系统研究单层SnS2-xSex合金的电子结构和光学性质，并评估其作为光电材料的应用潜力。结果表明：随着Se含量增加，合金仍保持立方晶系，但带隙从2.14 eV下降到1.33 eV；原因在于Se的4p轨道形成杂质能级，使带隙明显减小。随着Se含量增加，合金静态介电常数和虚部吸收值逐渐增大，且虚部主峰也发生不同程度的红移。相对Sn16S32合金而言，SnS2-xSex合金不仅拓宽了可见光区域内的吸收范围，也具有更强的可见光吸收能力，这为单层SnS2-xSex合金光电材料的发展提供了理论依据。
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