氮氧化硅薄膜制备方法的研究
Study on the Preparation Methods of Silicon Oxynitride Thin Films作者机构：浙江大学材料系
出 版 物：《材料科学与工程》 (Materials Science and Engineering)
年 卷 期：1999年第17卷第4期
页 面：10-13页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 081702[工学-化学工艺] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：氮氧化硅薄膜综合了ＳｉＯ２膜和Ｓｉ３Ｎ４膜的优点，具有优秀的光电性能，力学性能和稳定性能，已经在光电领域获得了广泛地应用，此外在材料改性方面也有广阔的应用前景。本文综合评述了几种氮氧化硅薄膜的制备方法，比较了各自的优缺点，并指出了今后制备方法的发展趋势。
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