不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响

作     者：张银桥 蔡建九 张双翔 张永 林志园 王向武 陈开建 ZHANG Yinqiao;CAI Jianjiu;ZHANG Shuangxiang;ZHANG Yong;LIN Zhiyuan;WANG Xiangwu;CHEN Kaijian

作者机构：厦门乾照光电股份有限公司福建厦门361101 上海空间电源研究所上海200233 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2010年第30卷第3期

页      面：469-472页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：砷化镓 铟镓砷 缓冲层 弛豫特性 

摘      要：采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术在GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料。测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As主要依靠逐层间产生失配位错来释放应力,并导致表面形成纵横交错的Cross-hatch形貌;而采用低温大失配缓冲层技术则主要通过在低温缓冲层中形成大量缺陷来充分释放应力,并在后续外延的In0.3Ga0.7As表面没有与失配位错相关的Cross-hatch形貌出现。此外,仅需50nm厚的低温大失配缓冲层即可促使In0.3Ga0.7As中的应力完全释放,这种超薄缓冲层技术在工业批产中显得更为经济。