MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究

作     者：陈亚军 康琳 蔡卫星 施建荣 赵少奇 吉争鸣 吴培亨 CHEN Ya-jun;KANG Lin;CAI WEI-XING;SHI Jian-rong;ZHAO SHAO-QI;JI ZHENG-MING;WU PEI-HENG

作者机构：南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所 南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所 南京210093 

出 版 物：《低温物理学报》 (Low Temperature Physical Letters)

年 卷 期：2005年第27卷第3期

页      面：207-210页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

主　　题：NbN AlN 磁控溅射 XRD c轴取向 

摘      要：在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.