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气体压力对铝基体上氮化铝薄膜残余应力的影响

Effect of Gas Pressure on Residual Stress in AlN Film Deposited on Al Substrates

作     者:田竞 王惠光 叶荣茂 安阁英 英崇夫 日下一也 

作者机构:哈尔滨工业大学哈尔滨150001 德岛大学工学部 

出 版 物:《宇航材料工艺》 (Aerospace Materials & Technology)

年 卷 期:1998年第28卷第5期

页      面:41-43页

核心收录:

学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:黑龙江省自然科学基金 哈尔滨工业大学回国人员基金 

主  题:氮化铝 薄膜 残余应力 阴极溅射 气体压力 

摘      要:利用阴极溅射方法在铝合金表面沉积氮化铝薄膜。利用X射线研究了沉积过程中气体压力的变化对氯化铝薄膜结晶的择优取向及薄膜内应力的影响。结果表明:在较低压力沉积的氮化铝薄膜有良好的择优取向性;氮化铝薄膜残余应力为压应力,且随气体压力增加而逐渐变化。

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