微量SiO_2对PI/Al_2O_3复合薄膜性能的影响

作     者：李园园 刘立柱 翁凌 石慧 金镇镐 王诚 LI Yuan-yuan;LIU Li-zhu;WENG Ling;SHI Hui;JIN Zhen-gao;WANG Cheng

作者机构：哈尔滨理工大学材料科学与工程学院哈尔滨150040 哈尔滨理工大学工程电介质及其应用教育部重点实验室哈尔滨150080 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2014年第45卷第13期

页      面：13122-13125,13130页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：黑龙江省教育厅科学研究重点资助项目(12511z007) 

主　　题：聚酰亚胺 纳米Al2O3 纳米SiO2 复合薄膜 耐电晕时间 

摘      要：通过固定纳米氧化铝(Al2O3)的含量,改变纳米氧化硅(SiO2)的含量,制备一系列纳米SiO2含量不同的聚酰亚胺(PI)/Al2O3/SiO2复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)和红外光谱(FT-IR)对复合薄膜的微观形貌和分子结构进行表征,结果表明纳米颗粒在PI基体中均匀分散,而且纳米颗粒的加入既不影响PI的分子结构又对聚酰胺酸的热亚胺化无影响。同时测试了薄膜的力学性能、击穿场强和耐电晕时间。结果表明,当纳米SiO2质量分数为0.5%时,复合薄膜的击穿场强和耐电晕时间分别为211.15 kV/mm、378 min,均优于纳米SiO2质量分数分别为0,0.1%,0.3%和0.7%的薄膜,并且其力学性能也较优异。