半绝缘GaAs中的双极扩散长度
Ambipolar Diffusion Length in Semi insulating GaAs作者机构：厦门大学物理学系厦门361005
出 版 物：《厦门大学学报（自然科学版）》 (Journal of Xiamen University：Natural Science)
年 卷 期：1999年第38卷第5期
页 面：692-695页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：分析了半绝缘（ Ｓ Ｉ） Ｇａ Ａｓ 表面光伏的特点和公式．用表面光伏方法测量了不同砷压热处理 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 单晶的双极扩散长度，用 １．１ μｍ 红外吸收法测量 Ｅ Ｌ２ 浓度，并对测量结果作了分析和讨论．指出双极扩散长度 Ｌａ 是反映 Ｓ Ｉ Ｇａ Ａｓ 质量的一个重要电学参数．
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