平板电极间鞘层离子刻蚀速率计算
Etching Rate Calculation of Ion in the Sheath between Planar Electrodes作者机构：华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 华中科技大学网络与计算中心湖北武汉430074
出 版 物：《中国材料科技与设备》 (Chinese Materials Science Technology & Equipment)
年 卷 期：2007年第4卷第6期
页 面：56-59页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：利用所建立的鞘层区离子速度分布函数，得出了鞘层区离子平均能量、平均速度、和通量以及高能中性粒子通量和能量通量等数学模型。计算了包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率，结果表明与实验数据吻合。各模型都以工艺参数：压力、温度、放电电压以及反应室尺寸等参数表示，为工艺优化提供了理论依据。
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