GaAs/AlGaAs多量子阱结构的热电子效应
HOT ELECTRON EFFECT IN GaAs/AlGaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS作者机构：杭州大学物理系
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：1997年第16卷第2期
页 面：97-101页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：采用低温荧光激发光谱（ＰＬＥ）研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构中热电子的弛豫过程，在ＰＬＥ谱中首次观察到ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱中ＬＯ声子的发射．用四能带Ｋａｎｅ模型计算了由轻、重空穴杂化效应引起的价带结构的畸变及其对声子发射谱的影响．实验和理论计算结果均表明，光激发热电子可以通过发射ＬＯ声子直接弛豫到激子态上。
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