An／C_（60）－Polymer／P－Si结构C－V特性
C-V Characteristic of the An/C_60-Polymer/P-Si Structure作者机构：吉林大学电子工程系克山师范专科学校
出 版 物：《吉林大学自然科学学报》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Jilinensis)
年 卷 期：1996年第3期
页 面：56-58页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室资助
摘 要：报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬底抛光面上淀积含Ｃ６０聚合物薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｎ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构．通过常温及温偏处理后的不同Ｃ－Ｖ特性，推算了聚合物薄膜中的几种电荷密度和介电常数，并对经过温偏处理后Ｃ－Ｖ曲线的畸变做了讨论．
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