CMP后清洗中活性剂对SiO_2颗粒去除的影响

作     者：洪姣 牛新环 刘玉岭 王辰伟 孙鸣 高宝红 韩力英 Hong Jiao;Niu Xinhuan;Liu Yuling;Wang Chenwei;Sun Ming;Gao Baohong;Han Liying

作者机构：河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2016年第53卷第4期

页      面：255-258,275页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308) 河北省教育厅资助科研项目(QN2014208) 河北省自然科学基金资助项目(E2013202247) 河北省高等学校科学研究项目(Z2014088) 

主　　题：碱性清洗剂 SiO2颗粒 金相显微镜 原子力显微镜(AFM) 扫描电子显微镜(SEM) 

摘      要：主要研究了碱性清洗剂中不同体积分数FA/O型活性剂对SiO_2颗粒沾污去除的影响。由金相显微镜实验可以看出,随着FA/O型活性剂体积分数的增加,SiO_2颗粒沾污去除效果先升高后降低,在体积分数为0.25%时效果最优。由原子力显微镜(AFM)测试实验可以得出,当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时铜光片表面粗糙度最小,说明此时SiO_2颗粒沾污得到了有效去除,适当的FA/O型活性剂体积分数能有效提高清洗后铜光片的表面质量。通过扫描电子显微镜(SEM)随机扫描,对SiO_2颗粒沾污进行统计计算,得出当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时SiO_2颗粒沾污缺陷占总缺陷的百分比最小,说明FA/O型活性剂可以有效去除化学机械抛光后铜光片表面的SiO_2颗粒沾污。