CCD输出二极管反向漏电机理的研究
Mechanism of Inverse Current Leakage for CCD Output Diode作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2001年第22卷第6期
页 面：457-459页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：分析了CCD输出二极管反向漏电的机理 ,认为有三个途径造成CCD反向漏电 :n+区通过SiO2 漏电 ,n+区通过Si-SiO2 表面漏电以及体内漏电。提出了解决漏电问题的方法 ,即控制好氧化、扩散、离子注入。
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