电子束零宽度线曝光及其应用

作     者：赵珉 刘桂英 陈宝钦 牛洁斌 

作者机构：湛江师范学院信息科技与技术学院广东湛江524048 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2013年第50卷第2期

页      面：106-111页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家重大科学研究计划项目(2006CB932600) 国家自然科学基金项目(61078060) 基础科研项目(B1020090022) 国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ04013608) 

主　　题：电子束光刻(EBL) 邻近效应 高分辨率光刻 零宽度线曝光 密集线图形 

摘      要：为了提高电子束光刻的图形质量及光刻分辨率,从入射束能和束流密度等方面探讨了克服邻近效应影响的途径,在制备亚30 nm结构图形时采用零宽度线曝光的方法。该方法把版图上线条的宽度设为零,因此该线条的光刻尺寸取决于电子束束斑大小、曝光剂量与显影条件。在400 nm厚HSQ抗蚀剂层上通过零宽度线曝光技术制作出了线宽20 nm网状结构的抗蚀剂图形,实验证明采用零宽度线曝光技术可以比较容易地制作出密集线以及高深宽比的抗蚀剂图形。将该技术应用到扫描电镜放大倍率校准标准样品的制备,取得了较好的效果。零宽度线曝光技术是实现电子束直写曝光极限分辨率的有效方法。