0.18μm CMOS带隙基准电压源的设计
Design of 0.18 μm CMOS bandgap reference voltage source作者机构：北京交通大学电子信息工程学院北京100044
出 版 物：《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)
年 卷 期：2011年第37卷第3期
页 面：51-53,57页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
维普期刊数据库
同方期刊数据库