具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性
Breakdown Characteristics of Novel SOI-LDMOS with Reducing Field Electrode and U-Type Drift Region作者机构：电子科技大学IC设计中心成都610054
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2003年第24卷第2期
页 面：194-197页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：降场电极 U形漂移区 耐压特性 SOI LDMOS RESURF
摘 要：提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法 .该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径 .
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