氧气流量对MPCVD制备微/纳米双层金刚石膜的影响

作     者：刘聪 汪建华 吕琳 翁俊 LIU Cong;WANG Jian-hua;LV Lin;WENG Jun

作者机构：武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室武汉430073 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2014年第43卷第10期

页      面：2630-2634页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(11175137) 

主　　题：MPCVD 微/纳米 金刚石膜 氧气流量 

摘      要：应用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术,以CH4/H2/Ar为主要气源,成功制备出了微/纳米双层金刚石膜。同时,在纳米膜层生长过程中,通过添加O2辅助气体,研究了不同O2流量对微/纳米金刚石膜生长的影响。结果表明,当O2流量在0-0.8 sccm范围时,所获得的金刚石膜仍为微/纳米两层膜结构;当氧气流量增加到1.2 sccm时,金刚石膜只有一层微米膜结构;而O2流量在0-1.2 sccm范围时,纳米层晶粒尺寸及品质与氧气流量成正比例关系。表明适量引入O2可以促进纳米层晶粒长大和提高膜品质。另外,当O2流量为0.8 sccm,所制备的微/纳米金刚石膜不仅品质好,而且生长率也较高。